Finesse de gravure : un 45 nm innovant
Quand vous constituez une référence incontestable dans un domaine particulier, une méthode à la fois particulièrement agréable, sans risque et ayant prouvé son efficacité quand vous vous adressez à la presse (et à travers elle, à vos clients) consiste à le marteler sans relâche. A fortiori quand ce domaine est tellement critique qu’il constitue à lui seul au moins 50 % de la clef menant non seulement à la domination inéluctable de vos produits sur ceux de tous vos concurrents, mais également à la rentabilité finale de toute votre entreprise. Intel l’a bien compris et n’a pas manqué de nous maintenir informés de ses dernières avancées en matière de finesse de gravure, comme il le fait au moins tous les 6 mois.
Le 65 nm fera très bientôt partie du passé chez Intel, puisque dans moins de 2 mois le Penryn sera là. Le développement du 45 nm n’a pas été anodin cependant, puisqu’il a nécessité la recherche d’un nouvel isolant entre la grille et le reste du transistor, afin de limiter les sempiternels courants de fuite de celle-ci vers le signal source-drain. Devenu trop fin et donc pas assez isolant, le dioxyde de silicium précédemment utilisé se voit remplacé par un diélectrique dit high-k (à forte constante diélectrique, c’est-à-dire laissant passer le champ électrique) à base d’Hafnium, permettant une meilleure isolation. Sans que le constructeur donne plus d’indications sur ce sujet hautement sensible… En outre, l’électrode de grille évolue, passant du polysilicium à un métal (non précisé), permettant l’obtention d’un champ plus élevé.
Au final, ces deux innovations permettent au choix de diviser les courants de fuite par 5 (au niveau source-drain) et 10 (au niveau de la grille), ou d’augmenter le courant dynamique de 20 % sans augmenter les courants de fuite (par rapport au 65 nm), ce qui conduit Intel à annoncer un transistor 20 % plus rapide. Elles sont par ailleurs décrites par Gordon Moore lui-même comme la plus importante évolution des transistors depuis 50 ans !
- Processeur,
- Penryn ,
- Nehalem ,
- Larabee
Très bon dossier, l'avenir promet avec intel
Apparemment le marketing d'Intel est bien different de celui d'AMD.
AMD des petites infos de temps en temps et quelques fois des conférences et Intel résume toutes les infos que l'on connait déja au cours d'une grande répresentation.
Oui, c'est un peu l'idée, l'explication étant aussi qu'AMD n'a pas vraiment les moyens d'organiser des évènements comme les IDF (et encore moins aussi régulièrement qu'Intel).
Déjà que Intel à du réduire la fréquence des IDF pour réduire les coûts, c'est que, effectivement, ça doit couter bonbon ^^
"et nous avons notamment pu mettre la main sur les fameux portables à moins de 200 $ dont nous vous parlons régulièrement !"
Ouais? lesquels?
Les 3 : OLPC, Classmate et Asus Eee.
C’est comme toujours dans une salle archi-comble que Paul Otellini, le président d’Intel, tint le Intel lève le voile sur ses processeurs, accélérateurs graphiques, process... : lire la suite
discours introductoire
pourquoi martyriser la langue quand il y a des solutions simples :
"discours d'introduction" c'est-y pas mieux ?
Ooops ! Au temps pour moi...
une petite vérif sur ATILF confirme que ce mot si peu élégant est pourtant correct.
Pas moyen de trouver le sujet dans les news pour éditer. Foutu système !
une petite vérif sur ATILF confirme que ce mot si peu élégant est pourtant correct.
On s'en fout, ce mot est d'un moche...
Ca fait XVème siècle !
Ha là c'est moderne pourtant : t'as soit l'édition rapide, soit l'édition classique.
Pour plus d'information voir http://www.tunitech.net/forum/606- [...] post/.html