Z-RAM : un bien dans un mal
Nous avons décidé de parler de la Z-RAM et la NRAM en dernier, car aucune date n’a réellement été donnée. On peut estimer que la Z-RAM sortira avant la NRAM. Nous vous rapportions l’adoption par AMD de cette mémoire pour ses futurs processeurs (cf. « AMD adopte la Z-RAM ». Elle devrait être utilisée en tant que mémoire cache en lieu et place de la SRAM. Néanmoins, nous n’en savons pas beaucoup plus aujourd’hui.
Z-RAM pour Zero-capacitor RAM est le fruit d’années de développement chez Innovative Silicon. La Z-RAM tire parti d’un phénomène que l’on a constaté sur les design CPU fabriqués à l’aide de la technologie SOI. Pour rappel, une des forces d’AMD est l’utilisation de la technologie SOI (Silicon On Insulator) qui consiste à placer une couche d’oxyde entre deux couches de silicium afin de réduire les courants de fuites. Cela permet donc une augmentation de la vitesse des transistors, tout en gardant une consommation électrique réduite. Néanmoins, on observe aussi un effet que l’on appelle « l’effet des corps flottants ».
À cause de sa chaussure, Cendrillon épouse le prince
Ce phénomène est caractérisé par la présence d’une capacité électrique entre le transistor et le substrat isolant. Si cet effet est néfaste sur les designs conventionnels, il est le fondement même des mémoires exemptes de tout condensateur. En effet, l’effet des corps flottants permet d’obtenir le même résultat qu’un condensateur (emmagasiner une charge électrique). Le fonctionnement est relativement simple. En envoyant une charge positive dans la cellule, on fait baisser sa tension, provoquant ainsi une augmentation de l’intensité ce qui correspondant à la valeur 1. Une charge négative aura l’effet inverse et sera comprise comme la valeur 0. Pour lire les données, on envoie une pulsation au transistor de la cellule-bit désignée afin de comparer l’intensité de la cellule sélectionnée avec celle d’une cellule de référence dont on connaît déjà la valeur.
Pour la petite histoire, les premières expériences furent menées dans les années 1990 par un centre de recherche Belge et l’utilisation de cet effet dans la Z-RAM fut rendu possible par le Directeur Technique d’Innovative Silicon, Dr. Pierre Franz. Innovatrice Silicon appelle d’ailleurs cet effet, l’effet Cendrillon, car il bénéficie d’une situation qui était désavantageuse à l’origine.
Petit, mais costaud
Son avantage par rapport à la SRAM réside dans sa constitution même. Le fait qu’elle n’ait pas de condensateur réduit le nombre de composants nécessaires à sa constitution et donc sa taille. On obtient un niveau de performance légèrement inférieur par rapport à la SRAM, mais on passe d’une architecture 6-transistors à une architecture au transistor unique. Elle est donc cinq fois plus petite ce qui a deux avantages majeurs. On peut économiser de la place pour produire des die plus petits pour faire des économies et réduire les dégagements de chaleur. On peut aussi utiliser la place gagnée pour introduire une nouvelle unité de calcul par exemple. Enfin, la Z-RAM disposerait de temps de réponse de l’ordre de 3 ns ce qui est presque au niveau des DRAM.
La Z-RAM pourra-t-elle aussi remplacer la DRAM ? Elle est certes plus dense que les mémoires centrales de nos ordinateurs et sa fabrication ne demande pas d’étapes supplémentaires ou de matériaux spéciaux. Elle gère mieux l’augmentation de la finesse de gravure puisque Innovative Silicon a déjà montré puce Z-RAM gravée en moins de 100 nm et pense atteindre une finesse de gravure inférieure à 40 nm d’ici 2012. Néanmoins, la technologie SOI reste 10 à 15 % plus chère que la fabrication d’un CMOS classique. Il faut donc réellement avoir une production de masse, comme pour la mémoire cache d’un microprocesseur afin qu’une Z-RAM soit intéressante économiquement.
Concrètement, pour qu’un fabricant de DRAM se mette à la Z-RAM, il lui faudra adapter toute son usine pour gérer le SOI, ce qui représente un coût exorbitant. Beaucoup pensent donc que l’on ne verra pas cette mémoire sortir des sentiers où le SOI est déjà bien implanté comme le monde des processeurs.
On sait toute fois que son caractère volatil ne lui permet pas d’être universelle. Il est en tout cas difficile de dire comment cette mémoire sera utilisée, Innovative Silicon ne faisant que vendre la technologie à d’autres constructeurs.


exelent dossier, j'ai lu les 3/4
mais peut-etre aurait-il fallu parler de la DDR3 ?
Nous avons décidé de laisser la DDR3 de côté, sachant qu'elle apporte pas vraiment de grande nouveauté technologique comparativement au reste et merci
Ca fait plaisir de voir que l'on apprécie 
zut j ai lue trop vite en effet pourquoi ne pas parler de DDR3 qui est aussi la fameuse GDDR4 qui va bientôt sortie en janvier/février 2007
surtout que la GDDR3 ,c'est de la DDR2 qui monte plus haut en fréquence et qui coûte un peux moins cher à fabriquer
Et la 1T SRAM ? pourquoi vous en avez pas parlé ?
Je sais, parce que c'est vieux ...
Et la 1T SRAM ? pourquoi vous en avez pas parlé ?
Je sais, parce que c'est vieux ...
par ce que seul nintendo en mets dans ses console
notamment dans la gamecube et très certainement dans le WII
http://fr.wikipedia.org/wiki/Wii
mais c'est vrais que cet ram est intéressante techniquement parlant.
Quid de la Xram dont on a plus ou moins entendu parler il y a quelques mois ?
Quid de la Xram dont on a plus ou moins entendu parler il y a quelques mois ?
Elle s'appuie sur les memes principes physiques que la DRAM mais améliore "simplement" nombre de mises en oeuvre. C'est pourquoi ça n'a pas été décrit dans l'article !
Ceci est un dossier d'actu et le but était vraiment de présenter des concepts nouveaux... si jamais il y a vraiment un engouement pour ce genre d'article on pourra alors dédiée un autre dossier à d'autres mémoires, pourquoi pas... mais le but de ce dossier était loin d'etre exhaustif, seulement de présenter les grandes mémoires universelles
donc à vos yeux la 1T SRAM ,qui est présente dans la gamecube et la WII n'est pas une grandes mémoire universelle
je le rappelle la 1T SRAM c'est un transistor par bit
alors voila pour se faire un idée du nombre de transistor j ai fait un chti tableau
http://luminais.olivier.free.fr/PHOTO/1T-sram.xlr
je le rappelle la 1T SRAM c'est un transistor par bit
alors voila pour se faire un idée du nombre de transistor j ai fait un chti tableau
http://luminais.olivier.free.fr/PHOTO/1T-sram.xlr
pour moi dans la mesure où elle est volatile, universel, me semble un peu tiré par les cheveux...
dans le nom du dossier ,il y a écrit en grand : Dossier : Retour sur le futur des mémoires.
il n'y à pas marquer qu'elle doivent forcément êtres non volatile,et il me semble que la Z-RAM c'est de la mémoire cache donc
Attention, si JE n'ai pas inclus la 1T SRAM c'est pour deux raisons :

1) elle n'est pas nouvelle (sortie deja dans la gamecube donc ca date un peu)
2) c'est un choix personnelle car je ne pouvais pas tout traiter dans cet article.
Maintennant Tuan a raison.... cette mémoire ne peut pas etre universelle car elle est volatile. Pour rappel, une mémoire universelle (comme dit dans l'intro) est une mémoire qui tendrait à remplacer disque dur, mémoire central et mémoire flash! Bref, pas du tout le créneau de la 1T SRAM. Mais le but de ce dossier n'était pas de traiter QUE des mémoires non volatile, la preuve avec la Z-RAM, lapine a raison...
Bref, ne pas traiter la 1T SRAM dans ce dossier est avant tout un choix de ma part, c'est tout... mais qui dit qu'elle ne fera pas partie d'un prochain dossier hein
Merci pour le tableau lapine, mais avec de telles quantitéES, on pourrait accorder un S à transistorS...

j'ai fait vite pour le tableau XLR
qui permet de comprendre combien il fait de transistor pour de la SRAM ou pour de la 1T SRAM,lorsque l'on utilise 4 transistor par bit ou 6 transistor par bit ,on vois que la difficulté est très importante à 4MO soit en 4T-SRAM 134million de transistors
et encore c'est sans compter les transistors supplémentaire pour la gestion du bus de donnée
qui permet de comprendre combien il fait de transistor pour de la SRAM ou pour de la 1T SRAM,lorsque l'on utilise 4 transistor par bit ou 6 transistor par bit ,on vois que la difficulté est très importante à 4MO soit en 4T-SRAM 134million de transistors
et encore c'est sans compter les transistors supplémentaire pour la gestion du bus de donnée
sauf que la 1T SRAM n'est pas aussi rapide que la SRAM (débits, temps d'accès)... on peut pas tout avoir
Merci pour le tableau lapine, mais avec de telles quantitéES, on pourrait accorder un S à transistorS...

quantités, ça suffira.
Je conçois bien que votre dossier se limite à certains produits. Me concernant, un article sur les autres mémoires serait le bienvenu. Un récapitulatif de ce qui existe et qui touche un peu plus le présent comme la bourse des gens ? Les marques, leurs avantages ? Quelles différences de perf ? ... Il y a pas mal de choses à dire, et qui ont peut-être déjà été dites mais pas dans la rubrique "Mémoire" de ce site :-)
En tout cas merci pour votre éclairage sur ces différents types de mémoire du futur.
Il aurait été bien de présenter celles existantes : DRAM et Flash étant donné que vous y faites souvent référence dans l'article.
Cependant, votre dossier m'a paru très bien rédigé et compréhensible pour une personne comme moi qui n'y connait pas grand chose.
On peut toujours se plaindre de ce qui n'est pas présent (mais bon, le but n'était pas d'être exhaustif), mais en tout cas, c'est un bon dossier, et j'y ai vraiment appris beaucoup. C'est chouette d'avoir enfin une vue d'ensemble. Merci David
Il aurait été bien de présenter celles existantes : DRAM et Flash étant donné que vous y faites souvent référence dans l'article.
Cependant, votre dossier m'a paru très bien rédigé et compréhensible pour une personne comme moi qui n'y connait pas grand chose.
Merci pour vos remarques et surtout pour vos messages d'appréciation ... sachez que nous les prenons toutes en considérations
Avec plaisir
1815:
problème de contrôle de redondance cyclique 
un CRC ? ou ça ?
superbe dossier !!! (comme d'hab j'ai envie de dire), les compétences du rédacteur saute aux yeux
Merci beaucoup et merci à Florian, Tuan et Matthieu pour leurs conseils et corrections de relecture
Je ne suis pas tout seul sur ce dossier
J'ai pas tout compris dans les détails mais j'ai beaucoup appris dans l'ensemble.

Merci, bon taff !
J'avoue que je croche un peu sur cette partie. Aussi loin que je me souvienne dans les cours d'informatique que j'ai eu, RAM etait effectivement l'acronyme de "Random Access Memory". Mais cela signifiait que la memoire pouvait être lu mais aussi ecrite et jamais on ne m'a parlé d'ordre predeterminé. Et la memoire RAM s'opposait au memoire ROM qui ne pouvait ecrite mais lu uniquement.
Merci d'eclairer ma lanterne.
J'avoue que je croche un peu sur cette partie. Aussi loin que je me souvienne dans les cours d'informatique que j'ai eu, RAM etait effectivement l'acronyme de "Random Access Memory". Mais cela signifiait que la memoire pouvait être lu mais aussi ecrite et jamais on ne m'a parlé d'ordre predeterminé. Et la memoire RAM s'opposait au memoire ROM qui ne pouvait ecrite mais lu uniquement.
Merci d'eclairer ma lanterne.
Tout a fait d'accord : la RAM s'oppose à la ROM... on est d'accord mais attention : la ROM est aussi une RAM
Les RAM s'oppose aux mémoires aux accès séquentiels, comme les bandes magéntiques par exemple, où on ne peut pas accéder à n'importe quelle donnée à n'importe quelle moment sur une bande, il faut d'abord positionner la bande, la faire avancer ou reculer pour ensuite arriver à la donnée que l'on veut. Dans la mémoire Flash, on est obligé de passer par les données intermédiaires. Exemple : je veux accéder à la cellule 1-3. Ben en RAM, je peux aller directement à la cellule 1-3. En mémoire séquentiel, il faut que je passe d'abord par la 1-1, la 1-2 pour enfin arriver à la 1-3
Ah ok. Comme quoi j'avais besoin de quelques eclaircissement et ça me permet de comprendre certaines choses du coup.
Merci beacoup.
J'en profite pour te feliciter sur ce dossier qui est vraiment tres interressant.