Conclusion
Après ces quelques lignes, la première constatation qui nous vient à l’esprit est que finalement, le disque dur, la mémoire flash et nos barrettes de DRAM ont encore de beaux jours devant eux. La première raison à cela vient du fait que beaucoup d’argent continue d’être investi dans ces technologies et ceux qui ont dépensé leurs sous vont attendre un retour sur investissement avant de passer à autre chose.
La deuxième raison vient du fait que l’on attend toujours de voir concrètement l’apparition de ces technologies dans nos machines. Or, si beaucoup d’annonces n’ont de réalité que le papier sur lequel elles sont écrites, il est impératif de ne pas sous-estimer les progrès réalisés. On pourrait penser que l’on se trouve aujourd’hui dans un cercle vicieux : on ne veut pas investir dans ces nouvelles technologies et le manque de soutien retarde les progrès. La réalité est néanmoins toute autre. La FeRAM est déjà produite en masse, la MRAM est imminente et les premières apparitions pour les autres mémoires devraient se faire dans moins de cinq ans.
Comme toutes nouvelles technologies, ces mémoires du futur seront adoptées petit à petit et il se pourrait bien que certaines d’entre elles dominent un jour le marché. Il est néanmoins trop tôt pour faire des pronostics. Aujourd’hui ces recherches nous montrent que le monde de la mémoire avance et les limites technologiques continuent d’être repoussées.
| Nom | Matériaux principaux | Principe de stockage des données | Date de commercialisation | Leader |
|---|---|---|---|---|
| FeRAM | Éléments ferroélectriques | Le 1 correspond à une polarisation négative des dipôles, contre une polarisation positive pour le 0 | 1999 | Fujitsu / Epson |
| MRAM | Éléments ferromagnétiques | Lorsque les deux éléments ont la même orientation magnétique on obtient la valeur 0 contre la valeur 1 pour des orientations opposées. | Imminente ? | Freescale / Toshiba / NEC |
| IBM Millipede | Microscope à force atomique (AFM) et un substrat de silicium (sled) | Un trou dans le polymère représente un 1 contre un 0 pour une surface plane | 2007 | IBM |
| PRAM | Verre chalcogènide | La valeur 1 est représenté par le verre dans son état amorphe tandis que l’état cristallin représente le 0 | 2008 | Ovonyx |
| Z-RAM | Un transistor et la technologie SOI (une couche d’oxyde entre deux couches de silicium) | Les un est manifesté par la présence d’une charge positive dans la cellule, la valeur 0 étant une charge négative. | Inconnue | Innovative Silicon |
| NRAM | Nanotubes de carbones suspendus au dessus de deux électrodes positionnées verticalement | Lorsque les nanotubes touchent l’électrodes supérieure, cela équivaut à la valeur 1. S’il reste suspendu, cela équivaut à 0. | Inconnue | Nantero |
exelent dossier, j'ai lu les 3/4
mais peut-etre aurait-il fallu parler de la DDR3 ?
Nous avons décidé de laisser la DDR3 de côté, sachant qu'elle apporte pas vraiment de grande nouveauté technologique comparativement au reste et merci
Ca fait plaisir de voir que l'on apprécie 
zut j ai lue trop vite en effet pourquoi ne pas parler de DDR3 qui est aussi la fameuse GDDR4 qui va bientôt sortie en janvier/février 2007
surtout que la GDDR3 ,c'est de la DDR2 qui monte plus haut en fréquence et qui coûte un peux moins cher à fabriquer
Et la 1T SRAM ? pourquoi vous en avez pas parlé ?
Je sais, parce que c'est vieux ...
Et la 1T SRAM ? pourquoi vous en avez pas parlé ?
Je sais, parce que c'est vieux ...
par ce que seul nintendo en mets dans ses console
notamment dans la gamecube et très certainement dans le WII
http://fr.wikipedia.org/wiki/Wii
mais c'est vrais que cet ram est intéressante techniquement parlant.
Quid de la Xram dont on a plus ou moins entendu parler il y a quelques mois ?
Quid de la Xram dont on a plus ou moins entendu parler il y a quelques mois ?
Elle s'appuie sur les memes principes physiques que la DRAM mais améliore "simplement" nombre de mises en oeuvre. C'est pourquoi ça n'a pas été décrit dans l'article !
Ceci est un dossier d'actu et le but était vraiment de présenter des concepts nouveaux... si jamais il y a vraiment un engouement pour ce genre d'article on pourra alors dédiée un autre dossier à d'autres mémoires, pourquoi pas... mais le but de ce dossier était loin d'etre exhaustif, seulement de présenter les grandes mémoires universelles
donc à vos yeux la 1T SRAM ,qui est présente dans la gamecube et la WII n'est pas une grandes mémoire universelle
je le rappelle la 1T SRAM c'est un transistor par bit
alors voila pour se faire un idée du nombre de transistor j ai fait un chti tableau
http://luminais.olivier.free.fr/PHOTO/1T-sram.xlr
je le rappelle la 1T SRAM c'est un transistor par bit
alors voila pour se faire un idée du nombre de transistor j ai fait un chti tableau
http://luminais.olivier.free.fr/PHOTO/1T-sram.xlr
pour moi dans la mesure où elle est volatile, universel, me semble un peu tiré par les cheveux...
dans le nom du dossier ,il y a écrit en grand : Dossier : Retour sur le futur des mémoires.
il n'y à pas marquer qu'elle doivent forcément êtres non volatile,et il me semble que la Z-RAM c'est de la mémoire cache donc
Attention, si JE n'ai pas inclus la 1T SRAM c'est pour deux raisons :
1) elle n'est pas nouvelle (sortie deja dans la gamecube donc ca date un peu)
2) c'est un choix personnelle car je ne pouvais pas tout traiter dans cet article.
Maintennant Tuan a raison.... cette mémoire ne peut pas etre universelle car elle est volatile. Pour rappel, une mémoire universelle (comme dit dans l'intro) est une mémoire qui tendrait à remplacer disque dur, mémoire central et mémoire flash! Bref, pas du tout le créneau de la 1T SRAM. Mais le but de ce dossier n'était pas de traiter QUE des mémoires non volatile, la preuve avec la Z-RAM, lapine a raison...
Bref, ne pas traiter la 1T SRAM dans ce dossier est avant tout un choix de ma part, c'est tout... mais qui dit qu'elle ne fera pas partie d'un prochain dossier hein
Merci pour le tableau lapine, mais avec de telles quantitéES, on pourrait accorder un S à transistorS...
j'ai fait vite pour le tableau XLR
qui permet de comprendre combien il fait de transistor pour de la SRAM ou pour de la 1T SRAM,lorsque l'on utilise 4 transistor par bit ou 6 transistor par bit ,on vois que la difficulté est très importante à 4MO soit en 4T-SRAM 134million de transistors
et encore c'est sans compter les transistors supplémentaire pour la gestion du bus de donnée
qui permet de comprendre combien il fait de transistor pour de la SRAM ou pour de la 1T SRAM,lorsque l'on utilise 4 transistor par bit ou 6 transistor par bit ,on vois que la difficulté est très importante à 4MO soit en 4T-SRAM 134million de transistors
et encore c'est sans compter les transistors supplémentaire pour la gestion du bus de donnée
sauf que la 1T SRAM n'est pas aussi rapide que la SRAM (débits, temps d'accès)... on peut pas tout avoir
Merci pour le tableau lapine, mais avec de telles quantitéES, on pourrait accorder un S à transistorS...
quantités, ça suffira.
Je conçois bien que votre dossier se limite à certains produits. Me concernant, un article sur les autres mémoires serait le bienvenu. Un récapitulatif de ce qui existe et qui touche un peu plus le présent comme la bourse des gens ? Les marques, leurs avantages ? Quelles différences de perf ? ... Il y a pas mal de choses à dire, et qui ont peut-être déjà été dites mais pas dans la rubrique "Mémoire" de ce site :-)
En tout cas merci pour votre éclairage sur ces différents types de mémoire du futur.
Il aurait été bien de présenter celles existantes : DRAM et Flash étant donné que vous y faites souvent référence dans l'article.
Cependant, votre dossier m'a paru très bien rédigé et compréhensible pour une personne comme moi qui n'y connait pas grand chose.
On peut toujours se plaindre de ce qui n'est pas présent (mais bon, le but n'était pas d'être exhaustif), mais en tout cas, c'est un bon dossier, et j'y ai vraiment appris beaucoup. C'est chouette d'avoir enfin une vue d'ensemble. Merci David
Il aurait été bien de présenter celles existantes : DRAM et Flash étant donné que vous y faites souvent référence dans l'article.
Cependant, votre dossier m'a paru très bien rédigé et compréhensible pour une personne comme moi qui n'y connait pas grand chose.
Merci pour vos remarques et surtout pour vos messages d'appréciation ... sachez que nous les prenons toutes en considérations
Avec plaisir
1815:
problème de contrôle de redondance cyclique 
un CRC ? ou ça ?
superbe dossier !!! (comme d'hab j'ai envie de dire), les compétences du rédacteur saute aux yeux
Merci beaucoup et merci à Florian, Tuan et Matthieu pour leurs conseils et corrections de relecture
Je ne suis pas tout seul sur ce dossier
J'ai pas tout compris dans les détails mais j'ai beaucoup appris dans l'ensemble.
Merci, bon taff !
J'avoue que je croche un peu sur cette partie. Aussi loin que je me souvienne dans les cours d'informatique que j'ai eu, RAM etait effectivement l'acronyme de "Random Access Memory". Mais cela signifiait que la memoire pouvait être lu mais aussi ecrite et jamais on ne m'a parlé d'ordre predeterminé. Et la memoire RAM s'opposait au memoire ROM qui ne pouvait ecrite mais lu uniquement.
Merci d'eclairer ma lanterne.
J'avoue que je croche un peu sur cette partie. Aussi loin que je me souvienne dans les cours d'informatique que j'ai eu, RAM etait effectivement l'acronyme de "Random Access Memory". Mais cela signifiait que la memoire pouvait être lu mais aussi ecrite et jamais on ne m'a parlé d'ordre predeterminé. Et la memoire RAM s'opposait au memoire ROM qui ne pouvait ecrite mais lu uniquement.
Merci d'eclairer ma lanterne.
Tout a fait d'accord : la RAM s'oppose à la ROM... on est d'accord mais attention : la ROM est aussi une RAM
Les RAM s'oppose aux mémoires aux accès séquentiels, comme les bandes magéntiques par exemple, où on ne peut pas accéder à n'importe quelle donnée à n'importe quelle moment sur une bande, il faut d'abord positionner la bande, la faire avancer ou reculer pour ensuite arriver à la donnée que l'on veut. Dans la mémoire Flash, on est obligé de passer par les données intermédiaires. Exemple : je veux accéder à la cellule 1-3. Ben en RAM, je peux aller directement à la cellule 1-3. En mémoire séquentiel, il faut que je passe d'abord par la 1-1, la 1-2 pour enfin arriver à la 1-3
Ah ok. Comme quoi j'avais besoin de quelques eclaircissement et ça me permet de comprendre certaines choses du coup.
Merci beacoup.
J'en profite pour te feliciter sur ce dossier qui est vraiment tres interressant.