Source: Presence PC – Mots-clés : ssd, flash, disques
Catégories: Stockage
Introduction
Actuellement, le monde du stockage est dans une phase d’évolution intéressante. Alors qu’il y a quelques années les disques durs étaient le seul dispositif de stockage viable, depuis quelque temps on voit apparaître une alternative : la mémoire flash. Elle a le vent en poupe actuellement, car elle est de plus en plus rapide et de moins en moins onéreuse, et les constructeurs commencent à lui trouver de l’intérêt.
La mémoire flash est énormément utilisée dans les baladeurs numériques, au détriment des disques durs, mais est très rare dans le domaine des PC. Nous avons décidé de tester deux dispositifs permettant de remplacer un disque dur par de la mémoire flash, ce qu’on appelle en général un SSD.
Les SSD (pour Solid State Disk, disque à semi-conducteurs) sont des dispositifs qui utilisent autre chose que la technologie magnétique des disques durs pour stocker des données. Un appareil comme l’iRAM est un SSD, par exemple. Les deux modèles que nous avons testés utilisent de la mémoire flash de type NAND. Sont-ils plus rapides qu’un disque dur ? Quels sont leurs avantages ? C’est ce que nous allons voir dans ce dossier.
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edit : pourquoi le nom de l'auteur n'est-il pas le même sur l'article et sur le forum ?
re-edit : laisse béton, j'ai pigé.
Un article de référence en la matière.
Merci!
- Les disques durs écrivent eux aussi par bloc, mais ils sont tout petit (512 octets)
- Dommage qu'il n'est pas été possible de faire un test en RAID5 par exemple avec 4 disques 32Go (total de 96Go). Mais en extrapolant, on peut précalculer un débit de 150Mo/s.
A noter : Un système RAID utilise également des blocs assez gros, en moyenne 32Ko, mais souvent poussés à 128Ko selon les usages.
Mais en RAID0 avec de la flash, on double bien les perfs.
L’effet Fowler-Nordheim implique qu’une partie des électrons qui passent entre les électrodes va se déplacer vers la grille flottante, à travers l’oxyde. Une fois la grille saturée avec des électrons, elle devient isolante et est considérée comme un 0 binaire.
Je ne comprend pas l'histoire de la grille saturée
Si quelqu'un peut m'eclairer svp
Edit : Voila a quoi je pensai : ( fonctionnement d'un transistor de type mos )
boubpopsyteam : non, pas spécialement, c'est juste que c'est les deux machines que j'avais pour le test et qui convenaient
oui lorsque c'est saturé : entre la grille et la source c'est isolant, et entre le drain et la source c'est un fil ( enfin 0.2v pour les MOS )
d'ailleur heuresement que c'est isolant, car s'il y avait du courant qui passait, les transistors consommeraient bcp plus ^^
PS : vive PPC qui me fait reviser mon bac électronique
surtout que j'ai pas fait de bac électro, juste quelques cours à la con.
David : Merci.
Tres bon article, néanmoins je "sature" sur une explication ^^
, la grille n'est pas l'étage de commande dans un transistor ? si c'est bien le cas c'est entre le drain et la source que c'est saturé. de plus le terme saturé signifie que c'est équivalent à un fil, et non une resistance infinie ( comme un isolant ), je suis perdu 
Je ne comprend pas l'histoire de la grille saturée
Si quelqu'un peut m'eclairer svp
Edit : Voila a quoi je pensai : ( fonctionnement d'un transistor de type mos )
http://img225.imageshack.us/img225/531/15869jo8.jpg
En fait, il y a deux grilles : une grille "de commande", celle qu'on connait, et une grille "flottante", situe juste en dessous, et qui n'est relie a rien, et qui va faire comme un condensateur avec la grille de commande. En etat "normal", tu n'as qu'un cote connecte, sur ce condensateur (cote grille de commande), donc la charge ne varie pas. En etat d'ecriture, les fortes tensions vont creer un effet tunnel du cote grille flottante, qui va charger ou decharger ce condensateur. A la lecture, la tension que tu applique sur la grille va etre modifiee par la tension au bornes du condensateur : decharge, on applique la tension telle quelle, le transistor est passant, chargee, la tension est trop faible, le transistor n'est pas passant.
2 remarques :
- MTBF = Mean Time Before Failure, pas between
- Le 8Go consomme 170mA contre 200mA pour le 32Go, les resultats sont donc moins bons pour le 8Go, en terme de mA/Go. Ce qui parait d'ailleurs assez logique.
- MTBF = Mean Time Before Failure, pas between
Ca doit être une erreur très courante, parce qu'en IUT, on m'a appris avec le 'between', ce qui a beaucoup moins de sens qu'avec le 'before'.
- Le 8Go consomme 170mA contre 200mA pour le 32Go, les resultats sont donc moins bons pour le 8Go, en terme de mA/Go. Ce qui parait d'ailleurs assez logique.
Il y a toujours une électronique de commande dont la consommation ne doit pas beaucoup varier selon la capacité.
Ca doit être une erreur très courante, parce qu'en IUT, on m'a appris avec le 'between', ce qui a beaucoup moins de sens qu'avec le 'before'.
ça a toujours été between et pas before. l'utilisation de before est un abus de language, mais c'est pour mieux comprendre le sens de MTBF.
Il y a toujours une électronique de commande dont la consommation ne doit pas beaucoup varier selon la capacité.
Peut-être, mais ça n'empêche que si tu veux faire 32Go avec les disques 8Go, tu vas consommer 680mA au lieu de 200...
ça a toujours été between et pas before. l'utilisation de before est un abus de language, mais c'est pour mieux comprendre le sens de MTBF.
Ah ouais