Introduction

Actuellement, le monde du stockage est dans une phase d’évolution intéressante. Alors qu’il y a quelques années les disques durs étaient le seul dispositif de stockage viable, depuis quelque temps on voit apparaître une alternative : la mémoire flashPuce de mémoire qui à la différence de la mémoire vive (DRAM) a la particularité de conserver les données en permanence après leur écriture, même en c.... Elle a le vent en poupe actuellement, car elle est de plus en plus rapide et de moins en moins onéreuse, et les constructeurs commencent à lui trouver de l’intérêt.

La mémoire flash est énormément utilisée dans les baladeurs numériques, au détriment des disques durs, mais est très rare dans le domaine des PC. Nous avons décidé de tester deux dispositifs permettant de remplacer un disque dur par de la mémoire flash, ce qu’on appelle en général un SSDLes SSD (pour Solid State Drive, disque à semi-conducteurs) sont des dispositifs qui utilisent de la mémoire flash pour stocker des données. Se posent....

samsung transcend ssd

Les SSD (pour Solid State Disk, disque à semi-conducteurs) sont des dispositifs qui utilisent autre chose que la technologie magnétique des disques durs pour stocker des données. Un appareil comme l’iRAM est un SSD, par exemple. Les deux modèles que nous avons testés utilisent de la mémoire flash de type NANDPrincipal type actuel de mémoire flash. La mémoire flash NAND repose sur une technologie mise au point par Toshiba à la fin des années 80. Elle a p.... Sont-ils plus rapides qu’un disque dur ? Quels sont leurs avantages ? C’est ce que nous allons voir dans ce dossier.


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Commentaires

turlupin en ptard 18/05/2007 09:14
turlupin en ptard
Clair et complet. J'aimerais avoir une paire de mains supplémentaires pour applaudir plus fort !

[:mavie] :bounce:

edit : pourquoi le nom de l'auteur n'est-il pas le même sur l'article et sur le forum ? :??:

re-edit : laisse béton, j'ai pigé. :sarcastic: [:patch] [:av68]
CinPoU 18/05/2007 09:42
CinPoU
Je suis d'accord pour preter les miennes!!
Un article de référence en la matière.
Merci!
christophe_d13 18/05/2007 10:10
christophe_d13
2 choses :
- Les disques durs écrivent eux aussi par bloc, mais ils sont tout petit (512 octets)
- Dommage qu'il n'est pas été possible de faire un test en RAID5 par exemple avec 4 disques 32Go (total de 96Go). Mais en extrapolant, on peut précalculer un débit de 150Mo/s.

A noter : Un système RAID utilise également des blocs assez gros, en moyenne 32Ko, mais souvent poussés à 128Ko selon les usages.
Dandu 18/05/2007 10:30
Dandu
Pour le RAID, c'est assez compliqué à mettre en oeuvre (contrôleur RAID ATA, trouver des SSD, tout ça).

Mais en RAID0 avec de la flash, on double bien les perfs.
GoO 18/05/2007 11:20
GoO
Tres bon article, néanmoins je "sature" sur une explication ^^

Djlauby a écrit :

L’effet Fowler-Nordheim implique qu’une partie des électrons qui passent entre les électrodes va se déplacer vers la grille flottante, à travers l’oxyde. Une fois la grille saturée avec des électrons, elle devient isolante et est considérée comme un 0 binaire.




Je ne comprend pas l'histoire de la grille saturée :pt1cable: , la grille n'est pas l'étage de commande dans un transistor ? si c'est bien le cas c'est entre le drain et la source que c'est saturé. de plus le terme saturé signifie que c'est équivalent à un fil, et non une resistance infinie ( comme un isolant ), je suis perdu :??: :??: :pt1cable:
Si quelqu'un peut m'eclairer svp :)

Edit : Voila a quoi je pensai : ( fonctionnement d'un transistor de type mos )

boub popsyteam 18/05/2007 12:35
boub popsyteam
Le test est sponsorisé par Dell (au vu des configs ...) ??
Dandu 18/05/2007 12:43
Dandu
GoO : la grille flotante a une limite en électron "stocké". Donc si on a le maximum d'électron dans la grille, on ne peut plus en faire passer entre la grille de contrôle et la source, vu que la grille flottante est "pleine"

boubpopsyteam : non, pas spécialement, c'est juste que c'est les deux machines que j'avais pour le test et qui convenaient
David Civera 18/05/2007 14:03
David Civera
Bravo l'ami... très beau travail :jap:
GoO 19/05/2007 11:20
GoO
ah oui d'accord, en faite on ne parlait pas de la meme chose, c'est pour ca que je n'avais pas compris :)

oui lorsque c'est saturé : entre la grille et la source c'est isolant, et entre le drain et la source c'est un fil ( enfin 0.2v pour les MOS )

d'ailleur heuresement que c'est isolant, car s'il y avait du courant qui passait, les transistors consommeraient bcp plus ^^

PS : vive PPC qui me fait reviser mon bac électronique :D ^^
Dandu 19/05/2007 12:48
Dandu
t'imagine pas le mal que j'ai eu à capter correctement comment ça marche plus ou moins.

surtout que j'ai pas fait de bac électro, juste quelques cours à la con.

David : Merci.
Caabale 01/06/2007 14:07
Caabale
a écrit :

Tres bon article, néanmoins je "sature" sur une explication ^^



Je ne comprend pas l'histoire de la grille saturée :pt1cable: , la grille n'est pas l'étage de commande dans un transistor ? si c'est bien le cas c'est entre le drain et la source que c'est saturé. de plus le terme saturé signifie que c'est équivalent à un fil, et non une resistance infinie ( comme un isolant ), je suis perdu :??: :??: :pt1cable:
Si quelqu'un peut m'eclairer svp :)

Edit : Voila a quoi je pensai : ( fonctionnement d'un transistor de type mos )

http://img225.imageshack.us/img225/531/15869jo8.jpg




En fait, il y a deux grilles : une grille "de commande", celle qu'on connait, et une grille "flottante", situe juste en dessous, et qui n'est relie a rien, et qui va faire comme un condensateur avec la grille de commande. En etat "normal", tu n'as qu'un cote connecte, sur ce condensateur (cote grille de commande), donc la charge ne varie pas. En etat d'ecriture, les fortes tensions vont creer un effet tunnel du cote grille flottante, qui va charger ou decharger ce condensateur. A la lecture, la tension que tu applique sur la grille va etre modifiee par la tension au bornes du condensateur : decharge, on applique la tension telle quelle, le transistor est passant, chargee, la tension est trop faible, le transistor n'est pas passant.


2 remarques :
- MTBF = Mean Time Before Failure, pas between
- Le 8Go consomme 170mA contre 200mA pour le 32Go, les resultats sont donc moins bons pour le 8Go, en terme de mA/Go. Ce qui parait d'ailleurs assez logique.
Mictateur 01/06/2007 16:30
Mictateur
a écrit :

- MTBF = Mean Time Before Failure, pas between



Ca doit être une erreur très courante, parce qu'en IUT, on m'a appris avec le 'between', ce qui a beaucoup moins de sens qu'avec le 'before'. :)
turlupin en ptard 01/06/2007 16:38
turlupin en ptard
a écrit :

- Le 8Go consomme 170mA contre 200mA pour le 32Go, les resultats sont donc moins bons pour le 8Go, en terme de mA/Go. Ce qui parait d'ailleurs assez logique.



Il y a toujours une électronique de commande dont la consommation ne doit pas beaucoup varier selon la capacité.
christophe_d13 04/06/2007 09:56
christophe_d13
a écrit :

Ca doit être une erreur très courante, parce qu'en IUT, on m'a appris avec le 'between', ce qui a beaucoup moins de sens qu'avec le 'before'. :)



ça a toujours été between et pas before. l'utilisation de before est un abus de language, mais c'est pour mieux comprendre le sens de MTBF.
Caabale 05/06/2007 19:49
Caabale
a écrit :

Il y a toujours une électronique de commande dont la consommation ne doit pas beaucoup varier selon la capacité.




Peut-être, mais ça n'empêche que si tu veux faire 32Go avec les disques 8Go, tu vas consommer 680mA au lieu de 200...

athon99 a écrit :

ça a toujours été between et pas before. l'utilisation de before est un abus de language, mais c'est pour mieux comprendre le sens de MTBF.




Ah ouais :??: C'est marrant, j'ai toujours entendu "before". Enfin, ça a pas non plus énormément d'importance...

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