Une des remarques que l’on voit le plus dès que l’on parle de la mémoire flashPuce de mémoire qui à la différence de la mémoire vive (DRAM) a la particularité de conserver les données en permanence après leur écriture, même en c..., c’est sa durée de vie. Nous allons expliquer la raison de cette durée de vie limitée, et pourquoi ce n’est pas véritablement un problème actuellement.

Pourquoi la durée de vie est-elle limitée ?

Il y a deux raisons à la durée de vie limitée de la mémoire flash. La première vient de l’oxyde utilisé pour séparer les grilles. Comme nous l’avons vu, les électrons doivent traverser cet oxyde pour passer dans la grille flottante ou en sortir. De temps, il peut arriver que des électrons restent captifs de cet oxyde, et soient relâchés plus tard, ce qui peut perturber les écritures et la lecture.

La deuxième vient de la structure de la grille flottante elle-même : avec le temps, les tensions élevées peuvent l’endommager, ce qui à terme va la rendre inutilisable. On considère généralement qu’une cellule de mémoire SLC peut subir environ 100 000 écritures avant destruction, et que la mémoire MLCMulti-Level Cell. Technologie qui permet d’obtenir des puces de mémoire flash NAND de capacité élevée. Dans une puce mémoire classique (Single-Level C... est moins endurante : environ 10 000 écritures.

Comment remédier au problème ?

La majorité des dispositifs utilisant de la mémoire flash disposent d’un contrôleur interne, qui va gérer les accès à la mémoire. Il est utilisé pour les transferts de données, mais aussi pour vérifier que le dispositif fonctionne bien. La puissance nécessaire peut être importante, et Samsung utilise par exemple un processeurLe CPU, encore appelé processeur, est l’acronmye de « Central processing unit », en anglais. Ont pourrait traduire ce terme par unité centra... de type ARMArchitecture de processeurs très utilisés dans les ordinateurs de poche, smartphones et appareils embarqués. ARM (Advanced Risc Machine) est une archi... pour cet usage.

Ce contrôleur vérifie automatiquement les écritures en relisant la dernière donnée écrite. S’il lui est impossible de la relire, le bloc complet est déterminé comme défectueux et l’écriture est relancée sur un autre bloc. Donc sauf si la mémoire flash est entièrement utilisée ou défectueuse, les données seront écrites sur le support.

La deuxième vérification s’effectue aussi durant l’écriture, avec la correction d’erreur ECCError Correcting Code. Type de barrette mémoire particulièrement fiable destiné à des applications critiques comme les serveurs. La mémoire ECC est un.... Toutes les puces de mémoire flash disposent de bits de contrôle, qui servent à la vérification des données écrites. En général, le contrôle ECC permet de corriger les erreurs de 1 bit et de détecter les erreurs sur 2 bits. Dans ce deuxième cas, le bloc est indiqué comme défectueux et l’écriture relancée sur un autre bloc.

Une petite explication sur le fonctionnement. On dispose de 3 octets d’ECC par bloc de 512 octets (donc 24 bits). À chaque écriture, le code ECC est calculé et écrit dans la zone inutilisée des blocs de données. Pendant la relecture, le code ECC des données est calculé et comparé au code ECC de départ (celui calculé à l’écriture). Si les deux codes sont identiques, le travail continue. Le premier cas intervient s’il y a une erreur sur 1 bit, à ce moment-là c’est corrigé et l’écriture continue. Enfin, il se peut qu’il y ait une erreur de 2 bits, ou une erreur dans le code ECC lui-même. Ces deux cas spécifiques ne sont pas corrigibles, et l’écriture est relancée sur un autre bloc.