Source: Presence PC – Mots-clés : ssd, flash, disques
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- 1 – Introduction
- 2 – La mémoire flash, comment ça fonctionne ?
- 3 – La flash NAND et l'organisation en blocs
- 4 – La durée de vie de la mémoire flash
- 5 – La gestion de l'usure
- 6 – Samsung NSSD 2,5 pouces 32 Go
Samsung NSSD 2,5 pouces 32 Go
Samsung nous a fourni un SSDLes SSD (Solid-State Drive) sont des volumes de mémoire de masse qui utilisent des puces de mémoire flash là où les disques durs utilisent des disques... au format 2,5 pouces, d’une capacité de 32 Go. Nous remercions Samsung Allemagne pour le prêt, sans eux ce test n’aurait pas pu voir le jour. Il utilise une interface IDE classique, en version 44 broches : les quatre broches supplémentaires sont utilisées pour alimenter le support, comme sur tous les disques au format 2,5 pouces.
Le SSD de Samsung travaille en mode Ultra DMA 4, appelé aussi Ultra DMA 66. Ça peut paraître peu à l’heure des 150 Mo/s (voir 300 Mo/s) du S-ATAAdvanced Technology Attachment. Bus interne utilisé pour connecter des disques durs ou d’autres unités de mémoire de masse comme un graveur. Le bus AT..., mais le fonctionnement du SSD (et l’absence de cache, nous allons y revenir) fait que c’est tout à fait suffisant.
Premier point, Samsung annonce que son SSD offre un taux de transfert en lecture de 53 Mo/s et de 30 Mo/s en écriture. Les valeurs sont un peu plus faibles que les disques durs, mais il s’agit ici d’un taux de transfert moyen et maximal en même temps : comme il n’y a pas de pièces mobiles dans les SSD, le taux de transfert ne varie pas en fonction de la position des données sur le support. Sur un disque dur, comme le disque tourne à vitesse constante, les données sont lues plus rapidement sur l’extérieur du support que sur l’intérieur.
Comme nous l’avons expliqué plus haut, les SSD sont en général dépourvus de mémoire cachePetite quantité de mémoire rattachée à une mémoire principale et plus rapide que cette dernière, destinée à améliorer son efficacité globale. L’accès ..., et c’est le cas ici. Le principal intérêt de cette mémoire dans un disque dur est de cacher la latence des plateaux, mais avec de la mémoire flashPuce de mémoire qui à la différence de la mémoire vive (DRAM) a la particularité de conserver les données en permanence après leur écriture, même en c... et son temps d’accès très bas c’est inutile.
Physiquement, il est assez proche d’un disque dur au format 2,5 pouces : même taille (100 x 70 x 9,5 mm), même interface. Le SSD est plus léger, 54 grammes pour le modèle 32 Go, contre 100 grammes environ pour un disque dur 2,5 pouces. Dans un ordinateur portable, il est reconnu comme un disque dur Ultra DMA 4, aucun problème de ce côté-là.
Un des points intéressants de la mémoire flash, c’est sa consommation : il n’y a pas de pièces en mouvement et la mémoire elle-même nécessite moins d’énergie pour fonctionner qu’un plateau de disque dur. Samsung annonce une consommation en veille de 20 mA (avec une tension de 5 V) et en fonctionnement de 200 mA. Un disque dur 2,5 pouces demande entre 20 mA (s’il est en veille complète, cas très rare) et 170 mA (avec les plateaux qui tournent) en veille. En écriture ou en lecture, un disque dur nécessite environ 400 mA, soit le double du SSD de Samsung.
Enfin, parlons de la durée de vie. Samsung annonce un MTBF(Mean Time Between Failures) Temps moyen entre (et non avant) chaque panne. La méthode à l’origine du MTBF est statistique. Elle consiste à prendre un... (Mean Time Between Failure, temps moyen entre les pannes) de 1 million d’heures, une valeur très élevée. Pour se donner une idée, un disque dur 2,5 pouces Seagate (Momentus 5400.1) est annoncé à seulement 300 000 heures. Les annonces alarmantes sur la durée de vie de la mémoire flash sont donc infirmées par les valeurs données par le constructeur : si la mémoire flash était si fragile dans le temps, Samsung n’annoncerait pas une valeur aussi élevée.
Une petite particularité des SSD qui pourra intéresser certains est la résistance aux chocs. Samsung annonce que le SSD peut supporter des accélérations brusques de 1 500 G et supporter des vibrations continues de 20 G (dans des véhicules en mouvement, par exemple). Un disque dur ne peut résister qu’à 300 G environ, et ne peut pas fonctionner dans un environnement qui vibre en permanence. Enfin, les SSD peuvent fonctionner avec des températures très basses (-25°) et très hautes (85°), là où un disque dur se contente de 5° à 55°.
Pour terminer, il existe une version 1,8 pouce de ce SSD, avec la même capacité et les mêmes performances. La seule différence vient de l’encombrement et du poids : le SSD 1,8 pouce ne pèse que 45 grammes.
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edit : pourquoi le nom de l'auteur n'est-il pas le même sur l'article et sur le forum ?
re-edit : laisse béton, j'ai pigé.
Un article de référence en la matière.
Merci!
- Les disques durs écrivent eux aussi par bloc, mais ils sont tout petit (512 octets)
- Dommage qu'il n'est pas été possible de faire un test en RAID5 par exemple avec 4 disques 32Go (total de 96Go). Mais en extrapolant, on peut précalculer un débit de 150Mo/s.
A noter : Un système RAID utilise également des blocs assez gros, en moyenne 32Ko, mais souvent poussés à 128Ko selon les usages.
Mais en RAID0 avec de la flash, on double bien les perfs.
L’effet Fowler-Nordheim implique qu’une partie des électrons qui passent entre les électrodes va se déplacer vers la grille flottante, à travers l’oxyde. Une fois la grille saturée avec des électrons, elle devient isolante et est considérée comme un 0 binaire.
Je ne comprend pas l'histoire de la grille saturée
Si quelqu'un peut m'eclairer svp
Edit : Voila a quoi je pensai : ( fonctionnement d'un transistor de type mos )
boubpopsyteam : non, pas spécialement, c'est juste que c'est les deux machines que j'avais pour le test et qui convenaient
oui lorsque c'est saturé : entre la grille et la source c'est isolant, et entre le drain et la source c'est un fil ( enfin 0.2v pour les MOS )
d'ailleur heuresement que c'est isolant, car s'il y avait du courant qui passait, les transistors consommeraient bcp plus ^^
PS : vive PPC qui me fait reviser mon bac électronique
surtout que j'ai pas fait de bac électro, juste quelques cours à la con.
David : Merci.
Tres bon article, néanmoins je "sature" sur une explication ^^
, la grille n'est pas l'étage de commande dans un transistor ? si c'est bien le cas c'est entre le drain et la source que c'est saturé. de plus le terme saturé signifie que c'est équivalent à un fil, et non une resistance infinie ( comme un isolant ), je suis perdu

Je ne comprend pas l'histoire de la grille saturée
Si quelqu'un peut m'eclairer svp
Edit : Voila a quoi je pensai : ( fonctionnement d'un transistor de type mos )
http://img225.imageshack.us/img225/531/15869jo8.jpg
En fait, il y a deux grilles : une grille "de commande", celle qu'on connait, et une grille "flottante", situe juste en dessous, et qui n'est relie a rien, et qui va faire comme un condensateur avec la grille de commande. En etat "normal", tu n'as qu'un cote connecte, sur ce condensateur (cote grille de commande), donc la charge ne varie pas. En etat d'ecriture, les fortes tensions vont creer un effet tunnel du cote grille flottante, qui va charger ou decharger ce condensateur. A la lecture, la tension que tu applique sur la grille va etre modifiee par la tension au bornes du condensateur : decharge, on applique la tension telle quelle, le transistor est passant, chargee, la tension est trop faible, le transistor n'est pas passant.
2 remarques :
- MTBF = Mean Time Before Failure, pas between
- Le 8Go consomme 170mA contre 200mA pour le 32Go, les resultats sont donc moins bons pour le 8Go, en terme de mA/Go. Ce qui parait d'ailleurs assez logique.
- MTBF = Mean Time Before Failure, pas between
Ca doit être une erreur très courante, parce qu'en IUT, on m'a appris avec le 'between', ce qui a beaucoup moins de sens qu'avec le 'before'.
- Le 8Go consomme 170mA contre 200mA pour le 32Go, les resultats sont donc moins bons pour le 8Go, en terme de mA/Go. Ce qui parait d'ailleurs assez logique.
Il y a toujours une électronique de commande dont la consommation ne doit pas beaucoup varier selon la capacité.
Ca doit être une erreur très courante, parce qu'en IUT, on m'a appris avec le 'between', ce qui a beaucoup moins de sens qu'avec le 'before'.
ça a toujours été between et pas before. l'utilisation de before est un abus de language, mais c'est pour mieux comprendre le sens de MTBF.
Il y a toujours une électronique de commande dont la consommation ne doit pas beaucoup varier selon la capacité.
Peut-être, mais ça n'empêche que si tu veux faire 32Go avec les disques 8Go, tu vas consommer 680mA au lieu de 200...
ça a toujours été between et pas before. l'utilisation de before est un abus de language, mais c'est pour mieux comprendre le sens de MTBF.
Ah ouais
en cas de chute ca casse bien moins facilement
tomazzi5959, tu trouveras page 6, c'est à dire dans la page consacrée à la mémoire Samsung, le paragraphe qui parle de résistance aux chocs et aussi du fonctionnement à des températures extrêmes :
Une petite particularité des SSD qui pourra intéresser certains (...) là où un disque dur se contente de 5° à 55°.
Bon, c'est certain que le paragraphe en question aurait pu être situé dans les pages généralistes (1 à 5) sur la mémoire flash.