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Source: Presence PC – Mots-clés : ssd, flash, disques
Catégories: Stockage
- 1 – Introduction
- 2 – La mémoire flash, comment ça fonctionne ?
- 3 – La flash NAND et l'organisation en blocs
- 4 – La durée de vie de la mémoire flash
- 5 – La gestion de l'usure
- 6 – Samsung NSSD 2,5 pouces 32 Go
- 7 – Transcend TS8GIFD25 8 Go et test
- 8 – Performances synthétiques (temps d'accès, débits)
- 9 – Performances en pratique (station de travail) et vitesse de démarrage
- 10 – Nuisances sonores, dégagement thermique et autonomie
- 11 – Conclusion, le futur
Transcend TS8GIFD25 8 Go et test
Le deuxième SSDLes SSD (Solid-State Drive) sont des volumes de mémoire de masse qui utilisent des puces de mémoire flash là où les disques durs utilisent des disques... que nous avons testé est un modèle Transcend de 8 Go, qui fait partie de l’ancienne gamme. Il y a quelques semaines, la société a annoncé une nouvelle génération de SSD, avec des caractéristiques équivalentes aux modèles de Samsung, mais ces nouveaux modèles ne sont pas encore proposés à la vente. Nous remercions Transcend Benelux pour le prêt du SSD.
Comme la Samsung, le SSD de Transcend est au format 2,5 pouces et utilise une interface P-ATAAdvanced Technology Attachment. Bus interne utilisé pour connecter des disques durs ou d’autres unités de mémoire de masse comme un graveur. Le bus AT.... Il est aussi compatible Ultra DMA 4, ainsi que PIO 6 (un mode de transfert utilisé essentiellement par les cartes CompactEn matière d’appareils photo, désigne une des principales catégories (avec les reflex et les bridges), caractérisée par sa taille réduite, son objecti... Flash). Les taux de transfert sont nettement plus modestes que ceux annoncés par Samsung : 20 Mo/s en lecture et 11 Mo/s en écriture. Il est dépourvu de mémoire cachePetite quantité de mémoire rattachée à une mémoire principale et plus rapide que cette dernière, destinée à améliorer son efficacité globale. L’accès ..., comme la majorité des SSD.
Physiquement, il est comparable à un disque dur. Il est un peu plus lourd (80 grammes) que le Samsung, essentiellement car il est équipé d’une plaque de protection sous le support, alors que le premier en est dépourvu.
Sa consommation est encore plus faible que celle du SSD de Samsung, un bon point. Il n’a besoin que de 130 mA en lecture et 160 mA en écriture (son concurrent nécessite 200 mA et un disque dur 400 mA). En veille, les valeurs sont comparables : 20 mA.
Transcend n’indique pas le MTBF(Mean Time Between Failures) Temps moyen entre (et non avant) chaque panne. La méthode à l’origine du MTBF est statistique. Elle consiste à prendre un... de son SSD, mais seulement le nombre de cycles, annoncé à plus de 2 millions. Ce chiffre est à prendre avec des pincettes, car il intègre les bénéfices de la correction ECCError Correcting Code. Type de barrette mémoire particulièrement fiable destiné à des applications critiques comme les serveurs. La mémoire ECC est un.... En pratique, une cellule de mémoire SLC est capable de supporter environ 100 000 écritures, comme nous l’avons vu précédemment.
Configuration de test
Deux ordinateurs ont été utilisés pour les tests, le premier pour mesurer les performances brutes des SSD, le deuxième (un portable) a permis de mesurer le gain d’autonomieDurée pendant laquelle l’appareil est opérationnel avant de devoir recharger les piles/batteries.....
- Dell Dimension 9200 (carte mère à base d’IntelIntel est le premier fabricant mondial de microprocesseurs pour ordinateurs. Le terme Intel est issu de la contraction de « Integrated Electronic... P965)
- CoreUnité principale de calcul dans un processeur. Les principaux processeurs actuels regroupent désormais deux ou même quatre unités gravées dans la même... 2 Duo E6600
- 2 x 1 Go PC4200 Samsung
- nVidia GeforceMarque utilisée par nVidia pour désigner ses puces graphiques depuis 1999. La première série nVidia à porter le nom de GeForce était la GeForce 256, d... 7900 GS
- Alimentation Dell 375 W
- Dell Inspiron 510m (i855)
- Pentium M 710 (Dothan, 1,4 GHz)
- 2 x 512 Mo PC2700 Crucial
- Contrôleur graphique Intel Extreme (i855)
- Écran de 15,1 pouces (SXGA+)
- Batterie 6 cellules de 4 700 mAh
Le contrôleur IDE de l’ordinateur portable est un classique Intel ICH4I/O Controller Hub. La référence ICH, généralement suivie d’un chiffre, désigne chez Intel le composant Southbridge du chipset. La série des ICH a déb.... Pour la machine de bureau, comme le southbridgePuce de la carte mère qui est l’un des deux éléments de son chipset. Le southbridge constitue avec le northbridge le chipset d’une carte mère. Il comm... ICH8R ne gère pas l’IDE classique, c’est un contrôleur jMicron (que nous remercions aussi pour le prêt) qui a été utilisé : un JMB368 interfacé en PCI-ExpressNorme de connecteurs d’extension interne apparue en 2004 et aujourd’hui standard sur les PC de bureau. Le PCI-Express est à la fois le successeur du b... 1x. Un adaptateur IDE 40 broches vers IDE 44 broches a été utilisé pour connecter les SSD.
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edit : pourquoi le nom de l'auteur n'est-il pas le même sur l'article et sur le forum ?
re-edit : laisse béton, j'ai pigé.
Un article de référence en la matière.
Merci!
- Les disques durs écrivent eux aussi par bloc, mais ils sont tout petit (512 octets)
- Dommage qu'il n'est pas été possible de faire un test en RAID5 par exemple avec 4 disques 32Go (total de 96Go). Mais en extrapolant, on peut précalculer un débit de 150Mo/s.
A noter : Un système RAID utilise également des blocs assez gros, en moyenne 32Ko, mais souvent poussés à 128Ko selon les usages.
Mais en RAID0 avec de la flash, on double bien les perfs.
L’effet Fowler-Nordheim implique qu’une partie des électrons qui passent entre les électrodes va se déplacer vers la grille flottante, à travers l’oxyde. Une fois la grille saturée avec des électrons, elle devient isolante et est considérée comme un 0 binaire.
Je ne comprend pas l'histoire de la grille saturée
Si quelqu'un peut m'eclairer svp
Edit : Voila a quoi je pensai : ( fonctionnement d'un transistor de type mos )
boubpopsyteam : non, pas spécialement, c'est juste que c'est les deux machines que j'avais pour le test et qui convenaient
oui lorsque c'est saturé : entre la grille et la source c'est isolant, et entre le drain et la source c'est un fil ( enfin 0.2v pour les MOS )
d'ailleur heuresement que c'est isolant, car s'il y avait du courant qui passait, les transistors consommeraient bcp plus ^^
PS : vive PPC qui me fait reviser mon bac électronique
surtout que j'ai pas fait de bac électro, juste quelques cours à la con.
David : Merci.
Tres bon article, néanmoins je "sature" sur une explication ^^
, la grille n'est pas l'étage de commande dans un transistor ? si c'est bien le cas c'est entre le drain et la source que c'est saturé. de plus le terme saturé signifie que c'est équivalent à un fil, et non une resistance infinie ( comme un isolant ), je suis perdu

Je ne comprend pas l'histoire de la grille saturée
Si quelqu'un peut m'eclairer svp
Edit : Voila a quoi je pensai : ( fonctionnement d'un transistor de type mos )
http://img225.imageshack.us/img225/531/15869jo8.jpg
En fait, il y a deux grilles : une grille "de commande", celle qu'on connait, et une grille "flottante", situe juste en dessous, et qui n'est relie a rien, et qui va faire comme un condensateur avec la grille de commande. En etat "normal", tu n'as qu'un cote connecte, sur ce condensateur (cote grille de commande), donc la charge ne varie pas. En etat d'ecriture, les fortes tensions vont creer un effet tunnel du cote grille flottante, qui va charger ou decharger ce condensateur. A la lecture, la tension que tu applique sur la grille va etre modifiee par la tension au bornes du condensateur : decharge, on applique la tension telle quelle, le transistor est passant, chargee, la tension est trop faible, le transistor n'est pas passant.
2 remarques :
- MTBF = Mean Time Before Failure, pas between
- Le 8Go consomme 170mA contre 200mA pour le 32Go, les resultats sont donc moins bons pour le 8Go, en terme de mA/Go. Ce qui parait d'ailleurs assez logique.
- MTBF = Mean Time Before Failure, pas between
Ca doit être une erreur très courante, parce qu'en IUT, on m'a appris avec le 'between', ce qui a beaucoup moins de sens qu'avec le 'before'.
- Le 8Go consomme 170mA contre 200mA pour le 32Go, les resultats sont donc moins bons pour le 8Go, en terme de mA/Go. Ce qui parait d'ailleurs assez logique.
Il y a toujours une électronique de commande dont la consommation ne doit pas beaucoup varier selon la capacité.
Ca doit être une erreur très courante, parce qu'en IUT, on m'a appris avec le 'between', ce qui a beaucoup moins de sens qu'avec le 'before'.
ça a toujours été between et pas before. l'utilisation de before est un abus de language, mais c'est pour mieux comprendre le sens de MTBF.
Il y a toujours une électronique de commande dont la consommation ne doit pas beaucoup varier selon la capacité.
Peut-être, mais ça n'empêche que si tu veux faire 32Go avec les disques 8Go, tu vas consommer 680mA au lieu de 200...
ça a toujours été between et pas before. l'utilisation de before est un abus de language, mais c'est pour mieux comprendre le sens de MTBF.
Ah ouais
en cas de chute ca casse bien moins facilement
tomazzi5959, tu trouveras page 6, c'est à dire dans la page consacrée à la mémoire Samsung, le paragraphe qui parle de résistance aux chocs et aussi du fonctionnement à des températures extrêmes :
Une petite particularité des SSD qui pourra intéresser certains (...) là où un disque dur se contente de 5° à 55°.
Bon, c'est certain que le paragraphe en question aurait pu être situé dans les pages généralistes (1 à 5) sur la mémoire flash.