Source: Presence PC – Mots-clés : ssd, flash, disques
Catégories: Stockage
- 1 – Introduction
- 2 – La mémoire flash, comment ça fonctionne ?
- 3 – La flash NAND et l'organisation en blocs
- 4 – La durée de vie de la mémoire flash
- 5 – La gestion de l'usure
- 6 – Samsung NSSD 2,5 pouces 32 Go
- 7 – Transcend TS8GIFD25 8 Go et test
- 8 – Performances synthétiques (temps d'accès, débits)
- 9 – Performances en pratique (station de travail) et vitesse de démarrage
- 10 – Nuisances sonores, dégagement thermique et autonomie
- 11 – Conclusion, le futur
Performances en pratique (station de travail) et vitesse de démarrage
Mesurons maintenant les performances dans les situations d’utilisation qui intéresseront la plupart d’entre nous. Nous avons ici d’abord utilisé H2bench, qui bien qu’accusant un âge particulièrement avancé lui aussi, reste largement d’actualité de par sa méthode. Le test de performance de H2bench consiste en effet à reproduire les accès (lectures et écritures) enregistrés lors de l’exécution de diverses opérations programmées. Voyons le détail du débit obtenu.
On remarque la supériorité évidente du SSD de Samsung sur le disque dur et le modèle Transcend. L’indice global, qui est une moyenne des résultats, est de 44,9 pour le SSD de Samsung, alors qu’il n’est que de 15,3 pour le disque dur. Le SSD Transcend est un peu devant le disque dur : 18,1.
Temps de démarrage
Un des points intéressants des SSD, c’est que l’ordinateur démarre plus vite, grâce au temps d’accès très faible. Dans l’absolu, c’est assez anecdotique comme gain, mais ça permet de montrer facilement les avantages de ce type de support de stockage. Les tests ont été effectués sur un ordinateur portable, car le PC de bureau est équipé d’une carte contrôleur IDE pour prendre en charge le SSD, ce qui ralentit le démarrage. La vitesse a été mesurée avec le programme BootVis, un utilitaire Microsoft qui permet d’optimiser le démarrage de Windows. Les mesures ont été effectuées sur une nouvelle installation de Windows XP pour chaque disque.
Comme on peut le voir, le temps de démarrage après optimisation est divisé par deux avec le SSD de Transcend, et on gagne encore quelques secondes avec le modèle de Samsung, plus rapide. Notons que doter l’ordinateur portable d’un disque dur 7 200 tpm permet aussi de diminuer le temps de démarrage, mais dans une moindre mesure.
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edit : pourquoi le nom de l'auteur n'est-il pas le même sur l'article et sur le forum ?
re-edit : laisse béton, j'ai pigé.
Un article de référence en la matière.
Merci!
- Les disques durs écrivent eux aussi par bloc, mais ils sont tout petit (512 octets)
- Dommage qu'il n'est pas été possible de faire un test en RAID5 par exemple avec 4 disques 32Go (total de 96Go). Mais en extrapolant, on peut précalculer un débit de 150Mo/s.
A noter : Un système RAID utilise également des blocs assez gros, en moyenne 32Ko, mais souvent poussés à 128Ko selon les usages.
Mais en RAID0 avec de la flash, on double bien les perfs.
L’effet Fowler-Nordheim implique qu’une partie des électrons qui passent entre les électrodes va se déplacer vers la grille flottante, à travers l’oxyde. Une fois la grille saturée avec des électrons, elle devient isolante et est considérée comme un 0 binaire.
Je ne comprend pas l'histoire de la grille saturée
Si quelqu'un peut m'eclairer svp
Edit : Voila a quoi je pensai : ( fonctionnement d'un transistor de type mos )
boubpopsyteam : non, pas spécialement, c'est juste que c'est les deux machines que j'avais pour le test et qui convenaient
oui lorsque c'est saturé : entre la grille et la source c'est isolant, et entre le drain et la source c'est un fil ( enfin 0.2v pour les MOS )
d'ailleur heuresement que c'est isolant, car s'il y avait du courant qui passait, les transistors consommeraient bcp plus ^^
PS : vive PPC qui me fait reviser mon bac électronique
surtout que j'ai pas fait de bac électro, juste quelques cours à la con.
David : Merci.
Tres bon article, néanmoins je "sature" sur une explication ^^
, la grille n'est pas l'étage de commande dans un transistor ? si c'est bien le cas c'est entre le drain et la source que c'est saturé. de plus le terme saturé signifie que c'est équivalent à un fil, et non une resistance infinie ( comme un isolant ), je suis perdu 
Je ne comprend pas l'histoire de la grille saturée
Si quelqu'un peut m'eclairer svp
Edit : Voila a quoi je pensai : ( fonctionnement d'un transistor de type mos )
http://img225.imageshack.us/img225/531/15869jo8.jpg
En fait, il y a deux grilles : une grille "de commande", celle qu'on connait, et une grille "flottante", situe juste en dessous, et qui n'est relie a rien, et qui va faire comme un condensateur avec la grille de commande. En etat "normal", tu n'as qu'un cote connecte, sur ce condensateur (cote grille de commande), donc la charge ne varie pas. En etat d'ecriture, les fortes tensions vont creer un effet tunnel du cote grille flottante, qui va charger ou decharger ce condensateur. A la lecture, la tension que tu applique sur la grille va etre modifiee par la tension au bornes du condensateur : decharge, on applique la tension telle quelle, le transistor est passant, chargee, la tension est trop faible, le transistor n'est pas passant.
2 remarques :
- MTBF = Mean Time Before Failure, pas between
- Le 8Go consomme 170mA contre 200mA pour le 32Go, les resultats sont donc moins bons pour le 8Go, en terme de mA/Go. Ce qui parait d'ailleurs assez logique.
- MTBF = Mean Time Before Failure, pas between
Ca doit être une erreur très courante, parce qu'en IUT, on m'a appris avec le 'between', ce qui a beaucoup moins de sens qu'avec le 'before'.
- Le 8Go consomme 170mA contre 200mA pour le 32Go, les resultats sont donc moins bons pour le 8Go, en terme de mA/Go. Ce qui parait d'ailleurs assez logique.
Il y a toujours une électronique de commande dont la consommation ne doit pas beaucoup varier selon la capacité.
Ca doit être une erreur très courante, parce qu'en IUT, on m'a appris avec le 'between', ce qui a beaucoup moins de sens qu'avec le 'before'.
ça a toujours été between et pas before. l'utilisation de before est un abus de language, mais c'est pour mieux comprendre le sens de MTBF.
Il y a toujours une électronique de commande dont la consommation ne doit pas beaucoup varier selon la capacité.
Peut-être, mais ça n'empêche que si tu veux faire 32Go avec les disques 8Go, tu vas consommer 680mA au lieu de 200...
ça a toujours été between et pas before. l'utilisation de before est un abus de language, mais c'est pour mieux comprendre le sens de MTBF.
Ah ouais